一种隐埋沟道碳化硅沟槽栅MOSFETs器件及其制备方法

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201510624450.2 （22）申请日 2015.09.25

（71）申请人 国网智能电网研究院;国家电网公司;国网浙江省电力公司

地址 102211 北京市昌平区小汤山镇大东流村路270号(未来科技城)

（10）申请公布号 CN105185833A

（43）申请公布日 2015.12.23

（72）发明人 查祎英;王方方;田亮;朱韫晖;刘瑞;郑柳;杨霏;李永平;吴昊 （74）专利代理机构 北京安博达知识产权代理有限公司

代理人 徐国文

（51）Int.CI

H01L29/78; H01L21/336; H01L29/06;

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（54）发明名称

一种隐埋沟道碳化硅沟槽栅MOSFETs器件及其制备方法

（57）摘要

本发明提供一种隐埋沟道碳化硅沟槽栅

MOSFETs器件及其制备方法，该器件包括：n型碳化硅衬底，所述衬底上的n型碳化硅漂移层，所述漂移层内包含具有间隔的p+型碳化硅区，所述p+型碳化硅区之间含有n+碳化硅源区；位于所述p+型碳化硅区之间且在所述n+碳化硅源区下的n

型碳化硅漂移层内的n型隐埋沟道；位于所述n+碳化硅源区下且在所述n型隐埋沟道内与所述p+型碳化硅区相对的p型碳化硅区；沟槽栅介质；栅接触；基区接触；源接触；漏接触。本发明在沟槽栅MOSFET结构的基础上，通过反掺杂部分p阱区，以实现用于提供源和漏导电通道的隐埋沟道，避免表面电子有效迁移率低和阈值电压偏高的问题，实现常关型器件。

法律状态

法律状态公告日

2015-12-23 2015-12-23 2016-09-28 2016-09-28 2020-01-03

法律状态信息

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 授权

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公开 公开

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权利要求说明书

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说明书

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